文献

J-GLOBAL ID：201002290491436930   整理番号：10A0603088

ポリ3-ヘキシルチオフェン結晶の充填構造:ab initioと分子動力学研究

Packing Structure of Poly(3-hexylthiophene) Crystal: Ab Initio and Molecular Dynamics Studies

著者 (2件)： DAG Sefa (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  WANG Lin-Wang (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry B  (Journal of Physical Chemistry B)
巻： 114  号： 18  ページ： 5997-6000  発行年： 2010年05月13日 
JST資料番号： W0921A  ISSN： 1520-6106  CODEN： JPCBFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線回折ではポリ3-ヘキシルチオフェン(P3HT)の充填構造に関して詳細な原子構造を得ることができず,P3HT積層間のラメラ構造についても多くの議論が残されている。一方,先のab initio計算は最も単純な積層構造と全エネルギー最小(すなわち,ゼロ温度)に限られ,van der Waals(vdW)相互作用なしの密度汎関数理論に基づいている。ここでは,P3HTの積層性質と電子構造及び輸送特性に及ぼす充填効果を理論的に調べた。この研究は長距離vdW相互作用と分子動力学シミュレーションを含むab initio密度汎関数計算に基づいている。この計算は原子構造と特異的積層構造に関する生成機構の詳細情報を提供した。最も安定な積層構造が積層方向に比較的小さな正孔有効質量を生み,それが大きな鎖間移動度を可能にした。

シソーラス用語： *ポリヘキシルチオフェン ,  導電性高分子 ,  *高分子結晶 ,  結晶充填 ,  *電子構造 ,  *輸送現象 ,  積層構造 ,  遠距離相互作用 ,  van der Waals力 ,  原子構造 ,  有効質量 ,  キャリア移動度 ,  ab initio MO法 ,  密度汎関数法 ,  基底関数系 ,  計算機シミュレーション ,  分子動力学 ,  全エネルギー
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  長距離相互作用 ,  分子動力学シミュレーション ,  輸送特性

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  結晶 ,  分子動力学 ,  研究