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J-GLOBAL ID：201002290546260632   整理番号：10A1134926

Si基板上のIn₂O₃ナノリングの形成

Formation of In₂O₃ nanorings on Si substrates

著者 (4件)： HSIN C. L. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu, Taiwan, Republic of China) ,  YU S. Y. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu, Taiwan, Republic of China) ,  HUANG C. W. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu, Taiwan, Republic of China) ,  WU W. W. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu, Taiwan, Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 18  ページ： 181920  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属と金属酸化物間の差異を調整することによりIn₂O₃ナノリング(NR)形成に対する新しい手法を開発した。各々周縁と中心におけるインジウムの酸化と蒸発の微妙な競合によって形成されるという,In₂O₃ NRの形成プロセスを提案した。ナノ球リソグラフィーと組み合わせて,パターン形成したIn₂O₃ NRを(001)Si基板上に成長させた。NRのサイズと形態は,ポリスチレンナノ球及びインジウム層の厚みによって制御可能である。光学特性の測定から,In₂O₃ NRが波長600から622nm間の光の吸収と発光に敏感であることが分かった。シリコン上にパターン形成したIn₂O₃ NRは望みの位置に光学応答性フォトニック素子を作製し,今日のプロセス技術を用いたシリコンベースのフォトニック素子との直接的な集積化に有利であるといった特性を持っている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *酸化インジウム ,  基板 ,  ケイ素 ,  *リソグラフィー ,  機能素子 ,  ポリスチレン ,  ミクロスフェア ,  光ルミネセンス ,  光吸収スペクトル ,  フォトニック結晶
準シソーラス用語： *ナノリング ,  ナノ球 ,  *ナノ球リソグラフィー

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  無機化合物の可視・紫外スペクトル  (BM08084P)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si基板 ,  ナノリング