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J-GLOBAL ID：201002290586259025   整理番号：10A1079538

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)-block-ポリビニルフェニルオキサジアゾール)ドナー-アクセプタロッド-コイルブロックコポリマの合成,モルホロジー及び特性,並びにそれらのメモリデバイスへの応用

Synthesis, Morphology, and Properties of Poly(3-hexylthiophene)-block-Poly(vinylphenyl oxadiazole) Donor-Acceptor Rod-Coil Block Copolymers and Their Memory Device Applications

著者 (6件)： FANG Yi-Kai (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIU Cheng-Liang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LI Chaoxu (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN Chih-Jung (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  MEZZENGA Raffaele (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  CHEN Wen-Chang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 20  号： 18  ページ： 3012-3024  発行年： 2010年09月23日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 位置規則性棒状ブロックとコイル状ブロックとから成る標記ジロックコポリマ,P3HT-b-POXDの合成,構造,光学及び電気化学的性質,並びにFET及びメモリデバイス特性を報告した。3種類のP3HT-b-POXD(44:5,44:18,33:25)とP3HT-MI及びPOXDを合成し,¹HNMRなどで同定した。分子量,多分散度,熱特性(熱分解温度など)などを測定し,広角及び小角X線散乱で構造を調べた(室温~190°C)。Si基板上にスピンコーとして薄膜を調製し,AFM/TEM観察で微細構造を調べ,紫外-可視吸収スペクトル,サイクリックボルタングラフを測定した。SiO₂/n⁺⁺Si基板にトップコンタクト型FETデバイスを,またITOガラス/P3HT-b-POXD/Al構成のメモリデバイスを作製し,それぞれ正孔移動度,オン/オフ比など,及びI-V特性などを評価した。44:5及び44:18のコポリマ膜基材のFETはそれぞれ9.21及び7.43×-10^-5cm²V^-1s^-1の移動度を,また,44:18のコポリマ系メモリデバイスは約10²のオン/オフ電流比で繰返し,書込,読出及び消去できることなどが分かった。

シソーラス用語： *ジブロック共重合体 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *ポリヘテロアリーレン ,  *化学合成 ,  化学組成 ,  分子量 ,  熱安定性 ,  *高分子薄膜 ,  結晶構造 ,  微細構造 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  サイクリックボルタンメトリー ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  *記憶装置 ,  データ書込 ,  データ読取 ,  データ消去
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  *メモリ ,  正孔移動度

分類 (3件)： 共重合  (CG04030D) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  記憶装置  (JC04060F)

物質索引 (1件)： 2-フェニル-5-(4-ビニルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール

タイトルに関連する用語 (6件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  ドナー ,  ブロックコポリマ ,  モルホロジー ,  メモリデバイス ,  応用