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J-GLOBAL ID：201002290701838727   整理番号：10A0913603

パワーデバイスのすべて ダイヤモンドウェハおよびパワーデバイスの開発動向

著者 (1件)： 鹿田真一 (産業技術総合研 ダイヤモンド研究ラボ)
資料名： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
巻： 49  号： 9  ページ： 19-24  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ダイヤモンドは他材料と比べて熱伝導率と絶縁破壊電界が一桁高い。キャリア移動度が高い。そして,誘電率が低いなどパワー半導体デバイスとしてきわめて有利な諸特性を有している。次世代デバイス用材料として期待されている。ダイヤモンド単結晶ウェハは,最近,スライスをせずにウェハをつくる「ダイレクトウェハ化」手法が開発された。また,このウェハを横に接合することにも成功した。今後は,結晶欠陥低減,ウェハの大型化,低コスト化,低抵抗ウェハなどが課題である。デバイス開発状況については,Schottky障壁ダイオードを例にとって,ダイヤモンドパワーデバイスのアドバンテージがありそうなことを例示した。

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  半導体素子 ,  半導体材料 ,  *ウエハ【IC】 ,  *ダイヤモンド ,  半導体プロセス ,  技術進歩 ,  技術展望

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： パワーデバイス ,  ダイヤモンドウェハ ,  開発動向