IGBTのUnclamped Inductive Switching状態時の素子内挙動の研究

水野義人; 田上隆三; 中垣真治; 西脇克彦; 味岡正樹

文献

J-GLOBAL ID：201002290837771499 整理番号：10A1611673

IGBTのUnclamped Inductive Switching状態時の素子内挙動の研究

Investigations of Inhomogeneous Operation of IGBTs under Unclamped Inductive Switching Condition

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資料名：
巻： EDD-10 号： 99-117 ページ： 23-26 発行年： 2010年11月29日
JST資料番号： Z0910A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

本稿ではIGBTのUIS(Unclamped Inductive Switching)状態での素子面内不均一動作の研究に取り組んだ結果を報告する。UIS状態でのデバイスシミュレーションにより,裏面から供給されるホールの密度差によりUIS状態の素子内電流不均一を起こす事を明らかにした。また素子内の電流分布測定に取り組み,裏面から供給されるホールの密度差を持つIGBTを試作し,UIS状態での素子内電流不均一現象を実測により確認した。(著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (4件)：

T. Shoji, M. Ishiko, T. Fukami, T. Ueta and K. Hamada,“Investigation on current filamentation of IGBTs under unclamped inductive switching conditions”, Proceedings of ISPSD’05, pp. 227-230,(2005)
C.-C. Shen, A. R. Hefner, D. W. Bering and J. B. Bernstein,“Failure Dynamics of the IGBT During Turn-Off for Unclamped Inductive Loading Conditions”, IEEE Trans. Industry Application, Vol.36, pp. 614-624,(2000)
J. Yedinak, B. Wood, P. Shenoy, G. Dolny, D. Lange and T. Morthorst,“Optimizing 600V Punchthrough IGBT’s for Unclamped Inductive Switching (UIS)”, Proceedings of ISPSD’00, pp. 363-366,(2000)
G. Breglio, A. Irace, E. Napoli, M. Riccio, P. Spirito, K. Hamada, T. Nishijima and T. Ueta,“Detection of localized UIS failure on IGBTs with the aid of lock-in thermogaraphy”, Microelectronics Reliability 48 1432-1434,(2008)

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