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J-GLOBAL ID：201002290860378362   整理番号：10A1032339

ZnO:Al背面リフレクタ付きのa-Si:H太陽電池のモデリングと最適化

Modelling and optimization of a-Si:H solar cells with ZnO:Al back reflector

著者 (4件)： DAGAMSEH A.m.k. (Delft Univ. of Technol., P.O. Box 5053, 2600 GB Delft, NLD) ,  VET B. (Delft Univ. of Technol., P.O. Box 5053, 2600 GB Delft, NLD) ,  SUTTA P. (Univ. of West Bohemia, NTRC, Univerzitni 8, 306 14 Plzen, CZE) ,  ZEMAN M. (Delft Univ. of Technol., P.O. Box 5053, 2600 GB Delft, NLD)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 94  号： 12  ページ： 2119-2123  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 背面リフレクタとしてアルミドープ酸化亜鉛(ZnO:Al)の導入は現在の薄膜ケイ素太陽電池での光トラッピング技術の重要部分である。しかし,背面コンタクトでスパッタしたZnO:Alを適用するとS形のJ-V特性と低フィルファクタになることが多い。改良型半導体解析シミュレーションプログラムを使って,水素化非晶質ケイ素太陽電池でのS形の起源を調べた。Si:H太陽電池の性能に対するZnO:Al特性と背面コンタクトインタフェイスパラメータの感度解析を行った。シミュレーション結果によると,J-V曲線におけるS形の起源はn-型a-Si:H/ZnO:Al界面の品質やZnO:Al/金属界面のSchottky障壁によることが指摘された。実験に合う模擬したS形はn-型a-Si:H/ZnO:Al界面での欠陥濃度が高いことによる。これらの欠陥はa-Si;H層の強いボンバードメントに好ましい付着条件を用いたZnO:Al膜のスパッタ中に形成される。ZnO:Alの素パタリング圧力に適応させることによるソフトな付着開始を導入すると,J-V曲線がS形にならない。ZnO:Al背面リフレクタ付きa-Si:H太陽電池の短絡電流は~1.3mA/cm²高まり,変換効率が10%高まる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *反射器 ,  *アモルファスシリコン ,  *太陽電池 ,  *水素化 ,  酸化亜鉛 ,  アルミニウム化合物 ,  *モデリング
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  Al ,  背面 ,  リフレクタ ,  太陽電池 ,  モデリング ,  最適化