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J-GLOBAL ID：201002291029939427   整理番号：10A0496175

機能的デバイス製造のためのフェムト秒レーザによる活性剤の中のエレクトロニクスおよびフォトニクスの集積化

Integration of electronics and photonics in active material by femtosecond laser for functional microdevice fabrication

著者 (4件)： CHENG Ya (Shanghai Inst. Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  XU Zhizhan (Shanghai Inst. Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  SUGIOKA Koji (RIKEN, Saitama, JPN) ,  MIDORIKAWA Katsumi (RIKEN, Saitama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7585  ページ： 75850D.1-75850D.15  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェムト秒レーザ微細構造技術の急速な進展により,複数機能部品の製造および集積化が直接可能になっている。これに対し本論文では,機能的デバイス製造のためのフェムト秒レーザによる活性剤の中のマイクロエレクトロニクスおよびマイクロフォトニクスの集積化手法を提案した。フェムト秒レーザマイクロマシニングに対する実験環境を取り上げ,その図式を示した。次に,ガラス表面の選択的メタライゼーションとそのメカニズムを取り上げ,絶縁体の選択的メタライゼーション製造プロセスの図式表示,ガラス表面上の選択的に蒸着された銅微細構造の光学顕微鏡写真,グラス上の金属パターンニングの写真,フェムト秒レーザにより照射されたガラスの光学顕微鏡写真と拡大画像,ガラスサンプル上のフェムト秒レーザ放射照射領域のSEM画像,などを具体的に示した。埋込み型微小電極の製造プロセスを取り上げ,その図式を示すとともに,フェムト秒レーザマトリクスアブレーションによる溝の製造の例示,溝の中に蒸着された銅微細構造の断面光学顕微鏡写真,などについて論じた。埋込み電極および導波管の電気工学的集積に関しては,MZI(Mach-Zehnder干渉計)の端面の顕微鏡写真,出口で計測した近接場輝度分布,埋込み電極および光導波管の光学顕微鏡写真,などを示した。

シソーラス用語： *パルスレーザ ,  電子技術 ,  オプトエレクトロニクス ,  *微細加工 ,  機能素子 ,  *マイクロマシニング ,  顕微鏡写真 ,  走査電子顕微鏡 ,  レーザアブレーション ,  Mach-Zehnder干渉計 ,  OEIC ,  *フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】 ,  SEM画像 ,  エレクトロニクス ,  フォトニクス

分類 (2件)： レーザ一般  (BD04030T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： フェムト秒レーザ ,  活性剤 ,  エレクトロニクス ,  フォトニクス ,  集積化