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J-GLOBAL ID：201002291109878755   整理番号：10A0535888

Ga触媒シリコンナノワイヤー中における欠陥生成

Defect Formation in Ga-Catalyzed Silicon Nanowires

著者 (13件)： CONESA-BOJ Sonia (Univ. de Barcelona, CAT, ESP) ,  ZARDO Ilaria (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  ESTRADE Sonia (Univ. de Barcelona, CAT, ESP) ,  WEI Li (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  ALET Pierre Jean (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  ROCA I CABARROCAS Pere (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  MORANTE Joan R. (Univ. de Barcelona, CAT, ESP) ,  MORANTE Joan R. (Catalonia Inst. for Energy Res., Barcelona, ESP) ,  PEIRO Francesca (Univ. de Barcelona, CAT, ESP) ,  FONTCUBERTA I MORRAL Anna (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  FONTCUBERTA I MORRAL Anna (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  ARBIOL Jordi (Univ. de Barcelona, CAT, ESP) ,  ARBIOL Jordi (CSIC, CAT, ESP)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 10  号： 4  ページ： 1534-1543  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga支援プラズマ増強化学気相蒸着(PECVD)によりシリコンナノワイヤーの合成を最近示した。本研究において,合成ナノワイヤーの構造的特性の詳細を検討した。高分解能透過電顕(HRTEM)解析より種々のタイプの構造欠陥の存在が分かった。これらは軸双晶,横双晶,縦双晶への配向に従って分類可能である。これらの結果を他の触媒金属と共に合成したSiナノワイヤーの従来の研究と比較した。観測欠損の起源と効果の理解は技術的応用に重要である。総称ドメーン変化の存在は物質の構造を局所的に変える。結果として,異なる局所状態密度やバンドギャップを見出すはずである。これはナノワイヤーのキャリア輸送や光学特性の変動をもたらす。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *プラズマCVD ,  ガリウム ,  触媒 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  *格子欠陥 ,  *双晶 ,  バンドギャップ ,  キャリア移動度 ,  光学的性質

分類 (4件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ga触媒 ,  シリコンナノワイヤー ,  欠陥