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J-GLOBAL ID：201002291209813901   整理番号：10A0677475

雰囲気制御によるGaN/Ga₂O₃コア/シェルナノケーブルヘテロ構造のエピタキシャル合成

Epitaxial synthesis of GaN/Ga₂O₃ core/shell nanocable heterostructures by atmosphere control

著者 (4件)： LEE Sanghun (School of Nano & Advanced Materials Engineering, Changwon National Univ., 9 Sarim-Dong, Changwon, Gyoungnam 641-773, KOR) ,  HAM Moon-ho (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., 134 Shinchon-Dong, Seoul 120-749, KOR) ,  MYOUNG Jae-min (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., 134 Shinchon-Dong, Seoul 120-749, KOR) ,  LEE Woong (School of Nano & Advanced Materials Engineering, Changwon National Univ., 9 Sarim-Dong, Changwon, Gyoungnam 641-773, KOR)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 58  号： 14  ページ： 4714-4722  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶六方晶GaNナノワイヤコアと単結晶単斜晶Ga₂O₃シェルから成る一次元ナノへテロ構造をGaN粉末の熱蒸着過程でNH₃とO₂ガスを順に反応剤として用いてエピタキシャルに合成した。GaNナノワイヤコア上の径方向に管状のGa₂O₃をヘテロエピタキシャル成長させて鋭い界面と均一で平滑な表面を持つ共軸ナノスケール構造を得ることを可能とした。Ga₂O₃シェルの厚さは酸化剤O₂の流量変化により制御可能であった。本研究で示した新しい方法はナノスケールの電子デバイスへの応用に適した共軸GaN/Ga₂O₃ナノヘテロ構造のエピタキシャル合成を可能とし,通常の熱酸化プロセスに比べて平易性,方法論的と幾何学的制御性及び結晶品質的に優れている。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ナノ構造 ,  化合物半導体 ,  化学蒸着 ,  *素子構造 ,  エピタクシー ,  合成 ,  *窒化ガリウム ,  ナノワイヤ ,  単結晶 ,  *酸化ガリウム ,  六方晶系 ,  単斜晶系 ,  酸化剤 ,  粉体 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： *ヘテロ構造

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 雰囲気 ,  GaN ,  Ga2O3 ,  コア ,  エピタキシャル