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J-GLOBAL ID：201002291508155317   整理番号：10A0175640

3D積層構造に及ぼす背面Cu汚染のインパクト

The Impact of Back-Side Cu Contamination on 3D Stacking Architecture

著者 (9件)： YANG Yu (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  YANG Yu (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  LABIE Riet (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  RICHARD Olivier (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  BENDER Hugo (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  ZHAO Chao (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  VERLINDEN Bert (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  DE WOLF Ingrid (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  DE WOLF Ingrid (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 2  ページ： H39-H41  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,130nmの相補的な金属酸化物半導体デバイスを使用して,背面Cu汚染が3D構造に及ぼす影響を調べた。Cuは実際の作製過程に近い方法で導入した。すなわち,薄ウエハの背面上に直接スパッタリングによってCuを導入し,その後に種々のアニーリンの段階を行った。集束イオンビーム走査電子顕微鏡法(FIB-SEM),透過型電子顕微鏡法(TEM),およびX線回折(XRD)を使用して界面反応を調べ,Cuのブロッキングが,厚い酸化ケイ素層の障壁効果によって説明された。Siは室温において,Cu₃Siの支援によって酸化された。酸化物は酸素およびCu₃Siの存在下で連続的に成長し,Siにおける拡散から効果的にCuをブロックした。

シソーラス用語： *酸化ケイ素 ,  *銅化合物 ,  *ケイ化物 ,  *銅 ,  *汚染 ,  積層構造 ,  三次元 ,  相補性 ,  ウエハ【IC】 ,  スパッタリング ,  焼なまし ,  集束イオンビーム ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  ブロッキング ,  障壁 ,  酸化 ,  酸素 ,  薄膜成長 ,  漏れ電流 ,  *半導体 ,  拡散 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 界面反応 ,  *相補性金属酸化物半導体 ,  背面

分類 (4件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3D ,  積層構造 ,  背面 ,  Cu ,  汚染 ,  インパクト