有機導電性デバイスにおける基底および励起状態振動の分子モデリング  事例研究としてのヘキサキス(n-ヘキシルオキシ)トリフェニレン(HAT<sub>6</sub>)

ZBIRI M.; JOHNSON M. R.; HAVERKATE L.; MULDER F. M.; KEARLEY G. J.

文献

J-GLOBAL ID：201002291809146330 整理番号：10A0460856

有機導電性デバイスにおける基底および励起状態振動の分子モデリング事例研究としてのヘキサキス(n-ヘキシルオキシ)トリフェニレン(HAT₆)

Molecular Modelling of Ground- and Excited-States Vibrations in Organic Conducting Devices: Hexakis(n-hexyloxy)triphenylene (HAT₆) as Case Study

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資料名：
巻： 63 号： 3 ページ： 388-395 発行年： 2010年
JST資料番号： A0492A ISSN： 0004-9425 CODEN： AJCHA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オーストラリア (AUS) 言語：英語 (EN)

有機光電池の基本的側面を理解するために,基底および励起状態の構造と単離ヘキサキス(n-ヘキシロキシ)トリフェニレン(HAT₆)の分子振動を計算した。励起状態に関しては時間依存性密度汎関数法を用い,振動数は連結摂動Kohn-Sham式を用いて分析した。これらの計算結果はHAT₆の溶液法IRやUV-Visと比較した。またこれらの計算によりHAT₆中の最大振動子強度の電子励起を決定し,その選択した励起状態の分子構造をモデリングした。更にこの励起状態と基底状態の振動を比較することによって,電子-光量子カップリング効果を理解した。2状態間の差異は大きく,側鎖部分の役割の大きさが明らかになった。

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四環以上の炭素縮合多環化合物 , 有機化合物の電気伝導

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有機導電性デバイスにおける基底および励起状態振動の分子モデリング 事例研究としてのヘキサキス(n-ヘキシルオキシ)トリフェニレン(HAT6)

有機導電性デバイスにおける基底および励起状態振動の分子モデリング事例研究としてのヘキサキス(n-ヘキシルオキシ)トリフェニレン(HAT₆)