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J-GLOBAL ID：201002291810938665   整理番号：10A0346522

Si,Ge,GaAs,InGaAs,およびInAsのチャンネルを有する金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける駆動電流の比較

Comparison of drive currents in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors made of Si, Ge, GaAs, InGaAs, and InAs channels

著者 (3件)： LUBOW Abigail (Dep. of Electrical Engineering, Center for Res. on Interface Sci. and Phenomena (CRISP), Yale Univ., New Haven ...) ,  ISMAIL-BEIGI Sohrab (Dep. of Applied Physics, Center for Res. on Interface Sci. and Phenomena (CRISP), Yale Univ., New Haven, Connecticut ...) ,  MA T. P. (Dep. of Electrical Engineering, Center for Res. on Interface Sci. and Phenomena (CRISP), Yale Univ., New Haven ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 12  ページ： 122105  発行年： 2010年03月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,n-チャネル型金属-酸化物-半導体(nMOS)およびp-チャネル型金属-酸化物-半導体素子(pMOS)の駆動電流に対するGaAs,InAsおよびInGaAsのような高電子移動度を持つチャネル材料を利用した効果について報告する。シリコンに比べて,これらの材料における電子の有効質量が小さいために状態密度も低くなるので,反転層容量(C_inv)は小さくなる。しかし,C_invが小さいにも拘わらず,高電子移動度材料はnMOS素子において大きな電流を駆動することが可能なので,シリコンに代わる有望な材料であるということが結論づけられた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  半導体 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  チャネル ,  *MOSFET ,  有効質量 ,  状態密度 ,  反転層 ,  キャリア移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  Ge ,  GaAs ,  InGaAs ,  InAs ,  チャンネル ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  駆動電流