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J-GLOBAL ID：201002292084668803   整理番号：10A0388092

高電圧変電所内のスイッチングによる過渡電磁場の計算

Computation of Transient Electromagnetic Fields Due to Switching in High-Voltage Substations

著者 (3件)： MUSA Bukar Umar (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  SIEW Wah Hoon (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  JUDD Martin D. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Power Delivery  (IEEE Transactions on Power Delivery)
巻： 25  号： 2  ページ： 1154-1161  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： A0340B  ISSN： 0885-8977  CODEN： ITPDE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧変電所内の回路遮断器などのスイッチング動作で過渡電磁場が発生するが,これが電子機器に悪影響を与えうるので,また電子機器は変電所のスイッチング機器の近くにも配置されるので,電子機器のEMCは変電所計画の出来るだけ早い設計段階で考慮しなければならない。モデルを作成し,計算した結果と実測結果とを比較して,モデルが正確であると確認できれば計測できない状態の電磁場を計算することも可能となる。典型的高電圧空気絶縁変電所(AIS)内のスイッチングによる過渡電磁場の計算を有限差分時間領域(FDTD)法により計算した。FDTDの計算結果と解析的計算結果の差は全てのケースにおいて3%以下であった。本方式の正しさが分かった。一般に完全な接地は放射電磁場を強める。また発生元から離れるほど放射電磁場は弱まる。

シソーラス用語： 電磁場 ,  *変電所 ,  *電磁干渉 ,  スイッチング ,  過渡現象 ,  遮断器 ,  電子装置 ,  モデリング ,  高電圧 ,  *有限差分時間領域法 ,  解析 ,  電磁両立性
準シソーラス用語： EMC【電磁干渉】 ,  FDTD ,  モデル化 ,  電子機器

分類 (2件)： 開閉装置  (NB09030I) ,  伝送回路理論  (NA02020X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電圧 ,  変電所 ,  スイッチング ,  電磁場 ,  計算