ピン型フォトダイオードピクセル構造による3次元飛行時間型CMOS画像センサ

KIM Seong-Jin; HAN Sang-Wook; KANG Byongmin; LEE Keechang; KIM James D.K.; KIM Chang-Yeong

文献

J-GLOBAL ID：201002292092728335 整理番号：10A1330497

ピン型フォトダイオードピクセル構造による3次元飛行時間型CMOS画像センサ

A Three-Dimensional Time-of-Flight CMOS Image Sensor With Pinned-Photodiode Pixel Structure

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資料名：
巻： 31 号： 11 ページ： 1272-1274 発行年： 2010年11月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

近年,マルチメディア界では3次元コンテンツビジネスに対する新しい要求が急増している。複数のカメラで撮影した画像から,飛行時間効果(TOF)を測定して任意の場所での高密度に深さ情報を持った画像システムを実現した。本稿では,通常のピン型フォトダイオード(PD)を用いて2次元画像だけでなく,対象物の深さを測定することにより,3次元ピクセルへの応用を示す。通常のピン型PDでは電荷伝送時間の制限により,TOFを測定することはできない。TOF信号に復調するための高速電荷伝送を実現するため,ピクセルに二つの幅広な伝送ゲートを設けた64x16ピクセルの実験的プロトタイプのセンサーを作り,それを使って確認した結果,変調周波数5MHzで動作し,深度情報を白黒画像と共に取得することができた。

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光導電素子

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