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J-GLOBAL ID：201002292468155170   整理番号：10A1079116

高速p-MOSトランジスタにおけるNBTIストレスによる特性パラメータの劣化解析

The Degradation Analysis of Characteristic Parameters by NBTI stress in p-MOS Transistor for High Speed
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著者 (3件)：
LEE Yongjae

LEE Yongjae について

, 
LEE Jonghyung

LEE Jonghyung について

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HAN Daehyun

HAN Daehyun について


資料名：
Journal of Korea Information and Communications Society. Wireless Communications  (Journal of Korea Information and Communications Society. Wireless Communications)

Journal of Korea Information and Communications Society. Wireless Communications について


巻： 35  号： 1  ページ： 80-86  発行年： 2010年01月31日 
JST資料番号： T0842B  ISSN： 1226-4717  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 韓国 (KOR)  言語： 韓国語 (KO)
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MOSトランジスタ

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NBTI

NBTI について

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ストレス

ストレス について

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特性パラメータ

特性パラメータ について

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解析

解析 について


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