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J-GLOBAL ID：201002292658090686   整理番号：10A0952877

湿式化学エッチングによる非極性GaNのエッチ特性の調査

Investigation of etch characteristics of non-polar GaN by wet chemical etching

著者 (7件)： HSU Hsiao-chiu (Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, and Advanced Optoelectronic Technol. Center, National ...) ,  SU Yan-kuin (Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, and Advanced Optoelectronic Technol. Center, National ...) ,  SU Yan-kuin (Dep. of Electrical Engineering, Kun Shan Univ. of Technol., Yung-Kang, Tainan 710, Taiwan) ,  CHENG Shin-hao (Dep. of Electrical Engineering, Kun Shan Univ. of Technol., Yung-Kang, Tainan 710, Taiwan) ,  HUANG Shyh-jer (Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, and Advanced Optoelectronic Technol. Center, National ...) ,  CAO Jia-ming (Dep. of Electro-optical Engineering, Kun Shan Univ. of Technol., Yung-Kang, Tainan 710, Taiwan) ,  CHEN Kuan-chun (Inst. of Microelectronics, Dep. of Electrical Engineering, and Advanced Optoelectronic Technol. Center, National ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 257  号： 3  ページ： 1080-1083  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,欠陥選択エッチング(DSE)法を用いて,サファイアのr-平面上に成長したGaN面内の表面欠陥を調べた。GaN面内のエッチピットの表面形状は,H₃PO₄とH₂SO₄の異なった混合比率のエッチング媒体を用いて調査された。滑らかな表面と欠陥に関連した表面との間の異なる局所的なエッチング速度の違いは,H₃PO₄/H₂SO₄比が1:3のエッチング溶液よって形成されたエッチピットに相違を生じさせる。走査型電子顕微鏡法(SEM)とX線光電子分光分析法(XPS)よる,エッチング後の表面形状と合成物の分析結果は,湿式化学エッチング条件が,GaN表面上の表面形状と化学結合の相違を示すことを明らかにした。エッチピット密度(EPD)は原子間力顕微鏡(AFM)によって3.1x10⁸cm^-2と測定された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *エッチング ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  非極性 ,  *エッチピット ,  走査電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  *形態 ,  原子間力顕微鏡 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： 湿式エッチング ,  走査型電子顕微鏡 ,  *表面形状

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学エッチング ,  非極性 ,  GaN ,  エッチ ,  調査