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J-GLOBAL ID：201002293080284217   整理番号：10A0449434

シンクロトロン放射光電子分光で調べた金属/高κグーとスタック構造の光誘起電荷捕獲現象

Photoinduced charge-trapping phenomena in metal/high-k gate stack structures studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy

著者 (8件)： TANIMURA T. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TOYODA S. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  KAMADA H. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  KUMIGASHIRA H. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  OSHIMA M. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  SUKEGAWA T. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN) ,  LIU G. L. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN) ,  LIU Z. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 16  ページ： 162902  発行年： 2010年04月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シンクロトロン放射での時間依存光電子分光により金属/高κゲートスタックの光誘起電荷捕獲現象を実証した。仕事関数が大きなPt金属ゲート電極はHfSiON膜の表面近傍に捕獲された負電荷を開放するが,仕事関数が小さなTiN金属ゲート電極はHfSiON泊の負電荷を保持する。負捕獲電荷の開放はHfSiON膜界面での正電荷の可能性を明らかにした。負電荷に対するエネルギー準位の位置はHfSiON膜のバンドギャップにおけるPtとTiN Fermi準位間であると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  *白金電極 ,  *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  仕事関数 ,  *絶縁膜 ,  *ハフニウム化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *酸化物 ,  界面 ,  電荷 ,  負電荷 ,  エネルギー準位 ,  X線照射 ,  *キャリア捕獲 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  捕獲電荷

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： シンクロトロン放射光電子分光 ,  高 ,  スタック ,  光誘起 ,  電荷捕獲 ,  現象