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J-GLOBAL ID：201002293086593785   整理番号：10A0268705

相変化物質とそれらの不揮発性メモリへの応用

Phase Change Materials and Their Application to Nonvolatile Memories

著者 (3件)： RAOUX Simone (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  WELNIC Wojciech (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  IELMINI Daniele (Politecnico di Milano, Milano(MI), ITA)
資料名： Chemical Reviews  (Chemical Reviews)
巻： 110  号： 1  ページ： 240-267  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： B0256A  ISSN： 0009-2665  CODEN： CHREAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス相-結晶相間あるいは異なる結晶相間の相変化によって光学的あるいは電気的性質が変化することを利用した相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)の開発が進んでいる。本レビューは,PCRAM開発の経緯とその基礎となる相変化物質の構造的性質(結晶状態,アモルファス及び液体状態)について簡単に記述し,次いで,これらの物質の相変化に伴う物性変化とそれらを利用したメモリ素子への応用例を以下の項目に分けて解説した。1)相変化物質のスイッチング速度,2)相変化物質の光学的性質,3)相変化物質の電気的性質(カルコゲン化物半導体のアモルファス相と結晶相のバンド構造変化,結晶相とアモルファス相の電気伝導,アモルファス相におけるしきい値スイッチング(しきい値以上の電場を印加すると高抵抗性状態から高導電性状態に転換する現象),しきい値スイッチング時における遅延時間),4)相変化物質のスケーリング特性,5)相変化物質の応用(相変化物質を利用した光学データ蓄積,PCRAM,相変化物質の将来の応用)。

シソーラス用語： *相転移 ,  *不揮発性メモリ ,  RAM【メモリ】 ,  *光学的性質 ,  *電気的性質 ,  非晶質 ,  固相 ,  データ蓄積
準シソーラス用語： アモルファス相 ,  ランダムアクセスメモリ ,  結晶相 ,  *相変化

分類 (3件)： 相平衡・状態図一般  (CB03011C) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化物質 ,  不揮発性メモリ ,  応用