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J-GLOBAL ID：201002293092957799   整理番号：10A0387522

PCMセルにおけるセット動作中の不完全なフィラメント結晶化

Incomplete Filament Crystallization During Set Operation in PCM Cells

著者 (4件)： MANTEGAZZA Davide (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  IELMINI Daniele (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  PIROVANO Agostino (STMicroelectronics) ,  LACAITA Andrea L. (Politecnico di Milano, Milano, ITA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 4  ページ： 341-343  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化メモリ(PCMs)は,Joule加熱により結晶の相変態を生じさせ,それにより抵抗を可逆変化させてセット状態とリセット状態を作り,メモリとして働く。本稿では,PCMセルアレイ中の部分的セット状態とリセット状態の位相分布について調べた。その結果,メモリアレイ中で生じる漂遊容量を低減することにより,寄生リセットを除き,セットプログラミング中のアモルファス相中の結晶フィラメント成長を実験的に検証した。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *相変態 ,  抵抗加熱 ,  動作 ,  計算機プログラミング ,  非晶質 ,  *フィラメント ,  漂遊容量 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： Joule加熱 ,  アモルファス相 ,  リセット ,  *相変化メモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： PCM ,  セル ,  フィラメント ,  結晶化