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J-GLOBAL ID：201002293107868593   整理番号：10A1091034

テキスタイル系トランジスタに向けた段階: ゲートと絶縁層の開発

Steps Towards a Textile-Based Transistor: Development of the Gate and Insulating Layer

著者 (7件)： SCHWARZ A. (Ghent Univ., Zwijnaarde, BEL) ,  CARDOEN J. (Ghent Univ., Zwijnaarde, BEL) ,  WESTBROEK P. (Ghent Univ., Zwijnaarde, BEL) ,  VAN LANGENHOVE L. (Ghent Univ., Zwijnaarde, BEL) ,  BRUNEEL E. (Ghent Univ., Zwijnaarde, BEL) ,  VAN DRIESSCHE I. (Ghent Univ., Zwijnaarde, BEL) ,  HAKUZIMANA J. (EOC Belgium, Oudenaarde, BEL)
資料名： Textile Research Journal  (Textile Research Journal)
巻： 80  号： 16  ページ： 1738-1746  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： E0244A  ISSN： 0040-5175  CODEN： TRJOA9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 総合的スイッチを処理するテキスタイル素材開発および幾何学と源の変更の繊維物質における有機薄フィルムトランジスタ(OTFT)の堆積部分による増幅機能の開発の可能性を調べた。初期段階としてテキスタイル系薄フィルムトランジスタを開発のためにディップコーティングを用いたポリイミド誘電層の堆積と同様に無電解銅の堆積からのゲート層の開発を行なった。ポリエステル(PES)テープが最も満足な銅コーティングとなった。ディップコーティングの応用によるポリイミド誘電層の形成のために銅被覆PESテープを用いた。得られたポリイミド層の表面粗さはポリイミド濃度と速度に依存し,速度の増加と濃度の増加とともに少ない粗さとなった。

シソーラス用語： *布 ,  *トランジスタ ,  堆積 ,  銅 ,  ポリイミド ,  ポリエステル ,  テープ ,  被覆 ,  表面粗さ ,  濃度依存性 ,  速度依存性

分類 (1件)： 用途開発  (YM01080Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： テキスタイル ,  トランジスタ ,  段階 ,  ゲート ,  絶縁層 ,  開発