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J-GLOBAL ID:201002293122573290   整理番号:10A0690401

AlをドーピングしたCd_(0.9)Zn_(0.1)Te結晶の研究

The investigation on Cd_(0.9) Zn_(0.1) Te crystal doped with Al
著者 (5件):
資料名:
巻: 40  号:ページ: 529-531,534  発行年: 2009年 
JST資料番号: C2095A  ISSN: 1001-9731  CODEN: GOCAEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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Alドープ及びInドープCd_(0.9)Zr_(0.1)Te結晶を改良垂直Bridgman(MVB)法により同一成長条件で成長させ,各種の方法で特性解析した。弱いp-型又はn-型を示すAl-ドープ結晶の電気抵抗は高い6×l0~2×10(10)Ωcmの範囲にあり,Inドープ結晶はn-型で,10Ωcmオーダの抵抗を示した。赤外透過スペクトルから,Alドープ結晶のIR透過率は4000~500cm(-1)で高く,平坦であった。一方,Inドープ結晶のIR透過率は低く,波数低下と共に減少し,1250cm(-1)以下ではゼロとなった。Alドープ結晶から製作した検出器は(241)Am59.54keVで14%FWHMのエネルギー分解能を示し,これはAlドープ結晶が検出器材料として基本的に要求特性を満たすことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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結晶学一般 
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