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J-GLOBAL ID：201002293248127309   整理番号：10A0465683

無極性および半極性In_0.25Ga_0.75N表面構造安定性に対する量子論的アプローチ

著者 (4件)： 秋山亨 (三重大 大学院) ,  山下智樹 (三重大 大学院) ,  中村浩次 (三重大 大学院) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.20A-TS-3  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *表面構造 ,  安定性 ,  半導体レーザ ,  状態図 ,  非極性 ,  極性 ,  量子論 ,  吸着
準シソーラス用語： *第一原理計算 ,  *窒化ガリウムインジウム ,  半極性 ,  無極性

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 無極性 ,  半極性 ,  構造安定性 ,  量子論