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J-GLOBAL ID：201002293300969992   整理番号：10A0685197

ナノ規模素子製造用のSi含有ブロック共重合体のテンプレートによる自己集合

Templated self-assembly of Si-containing block copolymers for nanoscale device fabrication

著者 (11件)： ROSS C. A. (Massachusetts Inst. Technol., MA) ,  JUNG Y. S. (Massachusetts Inst. Technol., MA) ,  CHUANG V. P. (Massachusetts Inst. Technol., MA) ,  SON J. G. (Massachusetts Inst. Technol., MA) ,  GOTRIK K. W. (Massachusetts Inst. Technol., MA) ,  MICKIEWICZ R. A. (Massachusetts Inst. Technol., MA) ,  YANG J. K. W. (Massachusetts Inst. Technol., MA) ,  CHANG J. B. (Massachusetts Inst. Technol., MA) ,  BERGGREN K. K. (Massachusetts Inst. Technol., MA) ,  GWYTHER J. (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  MANNERS I. (Univ. Bristol, Bristol, GBR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7637  ページ： 76370H.1-76370H.7  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微小相分離したブロック共重合体薄膜は線,点,環,その他の形状の高密度配列からなるパターンを形成し,自己集合ナノリソグラフィー用の魅力的材料である。ナノビームリソグラフィー等で作製したテンプレートを利用することで,複雑なパターンを形成できる。一方がエッチング耐性で,他方が容易に溶解する場合,パターン移動が単純になる。本研究では,共重合体の一つがSiを含み,他がブロックを含むジブロックやトリブロック重合体を用いて実験を行った。酸素プラズマによる有機ブロックの除去によりSi含有材料のパターンが残った。これをパターン移動用のエッチングマスクに用いて,パターンの大きさが<10nmのメタライゼーション線や磁性ナノ構造を作製できる。

シソーラス用語： *ブロック共重合体 ,  *リソグラフィー ,  型 ,  パターン形成 ,  自己集合 ,  高分子薄膜 ,  エッチング
準シソーラス用語： *ナノリソグラフィー ,  テンプレート【型】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 規模 ,  Si ,  ブロック共重合体 ,  テンプレート ,  自己集合