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J-GLOBAL ID：201002293351078456   整理番号：10A0851345

光起電力素子応用のための準結晶AlドープZnO薄膜の堆積

Deposition of quasi-crystal Al-doped ZnO thin films for photovoltaic device applications

著者 (5件)： YANG Yanyan (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan, Hubei 430074, CHN) ,  ZENG Xiangbin (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan, Hubei 430074, CHN) ,  ZENG Yu (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan, Hubei 430074, CHN) ,  LIU Luo (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan, Hubei 430074, CHN) ,  CHEN Qiankun (Dep. of Electronic Sci. and Technol., Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan, Hubei 430074, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 257  号： 1  ページ： 232-238  発行年： 2010年10月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準結晶アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)膜を,ガラス基板上に焼きなましなしでその場高周波(RF)マグネトロンスパッタリングによって作製した。その場堆積した準結晶AZO膜での光電子的特性及び構造的特性への堆積パラメータの影響を,得られた試料を比較するために調べた。X線回折(XRD)パターンは,準結晶AZO薄膜がRFパワーと基板温度の増加で単結晶のものと同様の鋭く,狭いXRDパターンを示す極端なc軸優先配向の改善された優れた結晶性を示した。電界放出走査電子顕微鏡(FESEM)像は,準結晶AZO薄膜が均一の結晶粒を持ち,結晶粒の大きさがRFパワーと基板温度の増加で増加することを示した。柱状構造を持つ不規則な大きさのクレーターがより低い基板温度で準結晶AZO薄膜で観測されたが,より高い基板温度では,多くの球形状の結晶粒が現れた。すべての準結晶AZO膜の平均した光透過率は,400-800nmの波長範囲で85%以上であった。140Wのスパッタリングパワーの下で300°Cで堆積した準結晶AZO薄膜で,76.4891nmの結晶粒の大きさで4.176×10^-4Ωcmの抵抗率が得られた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 光起電力 ,  準結晶 ,  アルミニウム ,  *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  ガラス ,  *スパッタ蒸着 ,  パラメータ ,  X線回折 ,  基板温度 ,  *優先配向 ,  走査電子顕微鏡 ,  微細構造 ,  *光透過 ,  *電気抵抗率
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光起電力素子 ,  応用 ,  準結晶 ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  堆積