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J-GLOBAL ID：201002293597336349   整理番号：10A0260135

ZnO/Siマイクロ円錐における超高速電子動力学

Ultrafast electron dynamics in ZnO/Si micro-cones

著者 (7件)： MAGOULAKIS E. (Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Heraklion, GRC) ,  MAGOULAKIS E. (Univ. Crete, Heraklion, GRC) ,  PAPADOPOULOU E. L. (Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Heraklion, GRC) ,  STRATAKIS E. (Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Heraklion, GRC) ,  FOTAKIS C. (Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Heraklion, GRC) ,  FOTAKIS C. (Univ. Crete, Heraklion, GRC) ,  LOUKAKOS P. A. (Foundation for Res. and Technol.-Hellas, Heraklion, GRC)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 98  号： 4  ページ： 701-705  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面Si基板上とマイクロ円錐基板上に蒸着し,続いて超短レーザパルス励起を行ったZnO薄膜の超高速電子動力学を比較した。過渡的バンドギャップくりこみ(BGR)効果に従い,励起キャリアの超高速捕獲が平面薄膜よりマイクロ円錐形状で効率的に起こることが分かった。これは成長膜の円錐構造に起因し,欠陥密度と不完全性の増加をもたらす。一方,サイズとアスペクト比を変えた円錐構造中の超高速動力学は同じであり,それ以上の円錐構造特性への依存性はないことを示している。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  ケイ素 ,  円錐 ,  高速度 ,  *電子 ,  *動力学 ,  基板 ,  蒸着 ,  レーザパルス ,  レーザ励起 ,  *半導体薄膜 ,  バンドギャップ ,  キャリア捕獲 ,  欠陥密度 ,  不整 ,  アスペクト比 ,  くりこみ
準シソーラス用語： サイズ ,  不完全性

分類 (2件)： 電子構造一般  (BM02010K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  Si ,  円錐 ,  電子動力学