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J-GLOBAL ID:201002293668122779   整理番号:10A0107725

パルスDCバランスマグネトロンスパッタリング系によって合成した異なる微細構造を有するCrAlN膜の耐酸化性

Oxidation Resistance of CrAlN Films with Different Microstructures Prepared by Pulsed DC Balanced Magnetron Sputtering System
著者 (5件):
資料名:
巻: 51  号:ページ: 271-276 (J-STAGE)  発行年: 2010年 
JST資料番号: G0668A  ISSN: 1345-9678  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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色々なN2/Ar比およびパルス幅の下にパルスDCバランス反応性スパッタリング系を使ってCrAlN膜を作製した。次の異なる微細構造の2つのCrAlN膜の耐酸化性を調べた。1)fcc-CrN構造で,低内部応力および中程度の硬度,そして,2)hcp-AlNとhcp-Cr2N相の混合構造で,高内部応力および41GPaの超高硬度のものである。単一fcc-CrN構造を有するCrAlN膜(1)は,最高900°Cの優れた耐酸化性を示した。この膜の塑性硬度は,900°Cで最大38.5GPaまで増加した。対照的に,hcp-AlNとhcp-Cr2N相の混合構造のCrAlN膜(2)は,最高800°Cまでは安定であった。この膜の塑性硬度は,アニーリングと共に次第に低下した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  セラミック・磁器の性質 
引用文献 (31件):
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