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J-GLOBAL ID:201002293754706341   整理番号:10A0581044

マイクロ波プラズマ蒸着によるポリチオフェンのドーピング

Doping of polythiophene by microwave plasma deposition
著者 (7件):
資料名:
巻: 204  号: 18-19  ページ: 3053-3058  発行年: 2010年06月25日 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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この研究では,良好な組み立てのマイクロ波プラズマシステムを,沃素のその場ドーピングと組み合わせて利用して,電導性のポリチオフェン薄膜を析出する効率的な方法を報告する。マイクロ波(150~250W/2.54GHz)プラズマ重合法を使用して作製した,このポリチオフェン薄膜は,走査型電子顕微鏡の観察では,緻密で,一様性が高く,ピンホールが無かった。さらに,沃素(I2)をその場でドーピングすることにより,通常は絶縁性のポリチオフェンの電気伝導率の大きな改良が達成された。その場でドーピングした物質の初期の電導率(1.4×10-5~1.0×10-4S/cm)は通常のex-situドーピングで得られたプラズマ重合膜の電導率(1.5×10-4~1.9×10-3S/cm)より低かったが,後者は急減して,24hで非ドーピング材の値に達した。他方,前者の電導率は,それより七倍低い速度で減少し,しかも,非ドーピング材の値には達しなかった。様々な分光法で,プラズマ重合させたポリチオフェン薄膜のキャラクタリゼーションを行った。沃素の導入は赤外分光で明白であった。ドーピングされたポリチオフェンの紫外-可視スペクトルは,非ドーピング材(374~535nm)より長い波長(440~535nm)のところにあり,共役の枠組みが長いことを示唆していた。また,エネルギー分散X線分光の結果も,最大10%のヨードの導入を支持していた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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高分子固体の物理的性質  ,  その他の高分子材料 
タイトルに関連する用語 (4件):
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