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J-GLOBAL ID：201002293784365522   整理番号：10A1126416

逆ドレイン阻止と順電流制限能力を有する自己保護GaN系電力素子

Self-Protected GaN Power Devices with Reverse Drain Blocking and Forward Current Limiting Capabilities

著者 (5件)： ZHOU Chunhua (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHEN Wanjun (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CHEN Wanjun (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  PINER Edwin L. (Nitronex Corp., NC, USA) ,  CHEN Kevin J. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 22nd  ページ： 141-144  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 逆ドレイン阻止能力を有するAlGaN/GaN系ノーマリーオフ(常時オフ)高電子移動度トランジスタ(HEMT)と真性順電流制限機能を有するAlGaN/GaN系横形電界効果整流器を用いて,”スマートデイスクリート”応用用に自己保護GaN系電力素子を提案し,実現した。そのHEMT素子は,新設計のショットキーコンタクト制御ドレイン障壁を特長とし,ショットキー型ドレイン構造と比較して,この新設計は,順バイアスオン状態で0.55Vの小オン設定電圧を示し,効果的に逆電流導電を抑制した。また,横形電界効果整流器は,陰極電極のオーミックコンタクトを越えた,ショットキー制御型空乏モードチャンネル拡張(空乏長L_Dの長さ)を特長とし,その新整流器のオン状態電流を室温で,4.59kA/cm²(L_D=1.3μm)と3.56A/cm²(L_D=1.9μm)に自己制限した。この電流制限レベルは,熱安定性に望ましい負温度係数を示した。提案した両素子のプロセスは,GaN系スマート電力チップ技術と完全に適合し,何の追加のフォトマスクもプロセス工程も不要にした。真性自己保護能力を有する電力トランジスタと整流器は,信頼性を改善し,先端電力システムの開発に非常に望ましいことを示した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ドレイン【半導体】 ,  *電流制限 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *回路特性 ,  *HEMT ,  *Schottky障壁 ,  フォトマスク ,  横型 ,  電場効果 ,  整流器 ,  空乏層 ,  Ohm接触 ,  カソード ,  熱安定性 ,  電流密度 ,  電流電圧特性 ,  電力技術 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： ノーマリーオフ ,  スマートパワー技術

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドレイン ,  阻止 ,  制限 ,  能力 ,  自己 ,  GaN ,  電力素子