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J-GLOBAL ID：201002294074616816   整理番号：10A0329782

光起電応用のためのRFスパッタGe-ITOナノ複合材料薄膜

RF-sputtered Ge-ITO nanocomposite thin films for photovoltaic applications

著者 (3件)： SHIH G.h. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA) ,  ALLEN C.g. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA) ,  POTTER B.g. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arizona, Tucson, AZ 85721, USA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 94  号： 5  ページ： 797-802  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチソース連続RFマグネトロンスパッタ蒸着技術を用いて,スズドープ酸化インジウム(ITO)母材中に埋込んだゲルマニウムナノ結晶相から成るナノ複合材料薄膜を作製した。薄膜光起電構造における機能要素してのこのような材料の利用に関連して,結果として生じた光吸収とキャリア輸送特性に及ぼすナノ複合材料構造の影響について調べた。蒸着制御と蒸着後熱アニーリングにより,ナノ複合材料の相アセンブリの修飾に成功するとともに,ゲルマニウム体積分率,ナノ結晶の大きさとモルフォロジー,ならびにITO埋込み相中での空間分布の操作を可能にした。半導体ナノ構造の修飾はナノ複合材料のスペクトル吸収における変化と相関した。GeとITO成分間の電子親和力はほぼ一致するが,この変化はGe吸収開始エネルギーにおける量子サイズが誘起した変化と一致した。このことはナノ複合材料のGeとITO成分間の高バンドギャップ(低電子親和力)界面相の形成を示す。増大した自由キャリヤ(n型)密度とスペクトル分解光伝導率はGe相の存在とも関係した。これらの結果は,半導体ベースナノ複合材料における光起電性能の重要な特性に及ぼす局所および規模を拡大した構造の影響,ならびびにナノ複合材料構造を操作する手段としての連続スパッタ蒸着法の有用性を強調する。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *酸化インジウムスズ ,  マグネトロンスパッタリング ,  光起電素子 ,  ナノ複合材料 ,  スパッタ蒸着 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  薄膜成長 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  青方偏移 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *光伝導 ,  Hall効果 ,  透明導電膜 ,  バンドギャップ ,  ドーピング
準シソーラス用語： 酸化物半導体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 応用 ,  RFスパッタ ,  Ge ,  ITO ,  ナノ複合材料 ,  薄膜