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J-GLOBAL ID：201002294095929334   整理番号：10A0335952

種々の結晶配向の混晶化CdTe基板上に得たISOVPE HgCdTeエピタキシャル層の成長の動的挙動

Growth kinetics of ISOVPE HgCdTe epilayers obtained on alloyed CdTe substrates with different crystalline orientations

著者 (7件)： GILABERT U. (SEGEMAR, Av. Gral Paz 5445, Parque Tecnologico Miguelete, Edif 14, 1650 San Martin, ARG) ,  GILABERT U. (UTN-FRBA, Medrano 951, 1179 C.A.B.A., ARG) ,  GILABERT U. (CINSO-CONICET-CITEDEF, Juan Bautista de La Salle 4397, 1603 Villa Martelli, Pcia de Buenos Aires, ARG) ,  MOYANO E. (CNEA-CAC, Av. Gral Paz y Constituyentes, 1650 San Martin, ARG) ,  SCARPETTINI A. (UBA-FCEN, Departamento de Fisica, Pabellon 1, Intendente Gueiraldes 2160, 1428 C.A.B.A., ARG) ,  TRIGUBO A.b. (UTN-FRBA, Medrano 951, 1179 C.A.B.A., ARG) ,  TRIGUBO A.b. (CINSO-CONICET-CITEDEF, Juan Bautista de La Salle 4397, 1603 Villa Martelli, Pcia de Buenos Aires, ARG)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 9  ページ： 1481-1485  発行年： 2010年04月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 等温気相エピタクシー(ISOVPE)によって,(111)Cd,(111)Te,(110)と(100)のCdZnTeとCdTeSe基板の上にHg_1-xCd_xTe(MCT)エピタキシャル層を成長させた。このエピタキシャル層の成長の動的挙動を,以前の論文において評価したISOVPE MCT成長のための非線形拡散対流モデルによって研究した。ISOVPE MCT膜の成長を記述する非線形拡散対流問題を,不連続数学によって数値的に解いた。理論的及び実験的組成プロフィルは,純粋なCdTe基板上に成長させたエピタキシャル層同様,顕著に異なっているので,このモデルにおいて,良好な一致が得られる表面反応速度定数における有限の速度を仮定した。研究した全基板と結晶配向の場合に,表面反応速度定数の数値は類似している。したがって,これらの結果から,本研究の実験条件の場合に,蒸着速度が混合制御を有することを決定できる。純粋なCdTe基板と混晶CdTe基板の場合のISOVPE技術の等方的特徴は顕著であり,MBE(分子線エピタクシー)やMOVPE(有機金属化学気相成長法)などの他のMCT成長法とは全く異なる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *テルル化カドミウム水銀 ,  化合物半導体 ,  固溶体 ,  半導体薄膜 ,  *エピタクシー ,  シミュレーション ,  対流 ,  反応速度定数 ,  表面反応 ,  結晶方位

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 結晶配向 ,  混晶 ,  CdTe ,  HgCdTe ,  エピタキシャル層 ,  成長 ,  動的挙動