グラフェン総論

徳本洋志; 徳本洋志

文献

J-GLOBAL ID：201002294150546008 整理番号：10A0331549

グラフェン総論

General View of Graphenes

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著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 53 号： 2 ページ： 61-65 (J-STAGE) 発行年： 2010年
JST資料番号： G0194A ISSN： 1882-2398 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

本特集に先だってグラフェン研究の動向と共に作製法などの概略ならびに著者のグループが行ってきたグラフェン研究の一端を紹介した。特に,グラフェンの作成法として,HOPG層の機械的剥離法,エピタキシャル法,CVD法,炭化物への無電解メッキ法などの概要を紹介した。詳細は,本解説に引き続く理論から成長,デバイス化を目指した詳細な解説や,本解説にもまとめた参考文献を参照する必要がある。特に,最近Sciennce誌に書かれたA.K.Geimによるレビューに「グラフェン研究の現状と将来について」詳細に紹介されている。その解説と共にそれらの論文に掲げられている参考文献も参考にする必要がある。CMOS後の候補デバイスを眼ざしたSiC上にエピタキシャル成長したグラフェンを用いた研究は,いろいろな角度から研究が進展している。中でもSiデバイスとの複合化を目指し,Si(110)表面上に100nm程度の薄膜3C-SiC(111)を成長させ,デバイスを作製した報告もあり,将来が楽しみである。

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半導体薄膜

引用文献 (32件)：

1) See, for example, The International Technology Roadmap for Semiconductors 2007 (ERD, ERM) (http://www.itrs.net/).
2) A. K. Geim and K. S. Novoselov: Nature Mat., 6 (2007) 183.
3) K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva and A. A. Firsov: Science, 306 (2004) 666.
4) J. Hass, R. Feng, T. Li, X. Li, Z. Zong, W. A. de Heer, P. N. First, E. H. Conrad, C. A. Jeffrey and C. Berger: Appl. Phys. Lett., 89 (2006) 143106.
5) K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, et al.: Nature, 438 (2005) 197.

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