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J-GLOBAL ID:201002294250759904   整理番号:10A0902521

ゾル浸漬テンプレート法による多孔質ZnO/SnO2化合物膜の調製

Preparation of porous ZnO/SnO2 compound films by sol-dipping template method
著者 (4件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 886-888  発行年: 2010年07月 
JST資料番号: C0304C  ISSN: 0267-0836  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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調製の手間を減らすため多孔質ZnO/SnO2化合物膜はゾル浸漬テンプレート法によって直接的に調製した。膜の形態と特性も解析した。ゾル浸漬テンプレート法を用いて,多孔質ZnO/SnO2化合物膜を調製し,最密充填ポリスチレンテンプレート間の間隔をゾルで埋め,焼なましし,ポリスチレンテンプレートを除去した。多孔性形態の形成に,前駆体ゾル濃度は重要な役割を果たした。無機壁の厚さは,ゾル濃度が上昇すると上昇した。浸透率が十分で細孔構造の良い,適切なゾル濃度は約0.4Mだった。ZnOとSnO2は各々ウルツ鉱とルチル構造であることが,X線回折パターンから分った。
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  電池一般 

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