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J-GLOBAL ID:201002294261573586   整理番号:10A0617303

(211)方位のNi4W下地層により誘起される垂直磁気異方性を有するSmCo5

SmCo5 With Perpendicular Anisotropy Induced by a (211) Textured Ni4 W Underlayer
著者 (4件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 2082-2085  発行年: 2010年06月 
JST資料番号: A0339B  ISSN: 0018-9464  CODEN: IEMGAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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SmCo5-(0001)の生成をNi4W-(211)下地層を用いて実現した。4nmのタングステン(W)シード層上に室温でSmCo5-(0001)と同じ六角構造を持つNi4W-(211)ナノ結晶下地層を堆積させ,この下地層上に500~540°CでSmCo5を堆積させることにより,強い(0001)方位を有するナノ粒子構造を得た。ガラス基板上のNi4W下地層の厚さを13nm以上とすると,10kOeを越える高い保磁力と大きな垂直磁気異方性が得られる。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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電子・磁気・光学記録 
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