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J-GLOBAL ID：201002294284349217   整理番号：10A0238429

抵抗スイッチングに基づく高耐久性でフレキシブルなメモリ

Highly durable and flexible memory based on resistance switching

著者 (4件)： KIM Sungho (School of Electrical Engineering and Computer Sci., KAIST, Daejeon 305-701, KOR) ,  YARIMAGA Oktay (School of Electrical Engineering and Computer Sci., KAIST, Daejeon 305-701, KOR) ,  CHOI Sung-jin (School of Electrical Engineering and Computer Sci., KAIST, Daejeon 305-701, KOR) ,  CHOI Yang-kyu (School of Electrical Engineering and Computer Sci., KAIST, Daejeon 305-701, KOR)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 4  ページ： 392-396  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 積層Al/TiO_x/Al構造からなる抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)をフレキシブルで透明な基板上に実装した。セル対セルの均一性を改善するため,原子層堆積により形成したTiO_xを抵抗スイッチング材料用に使用した。RRAMの単純なクロスバー構造とAl電極の良い延性が優れた適応性と機械的耐性を生んだ。特に,同時に現れるバイポーラとユニポーラスイッチング(BRS,URS)挙動を調査した。電流コンプライアンスに基づいてBRSまたはURSを選択的に観測できた。更に,BRSからURSへの永久遷移を特定の電流コンプライアンスで観測した。この遷移挙動を理解するため,抵抗スイッチングへのγ線照射効果を初めて調査した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スイッチング ,  *記憶装置 ,  *耐久性 ,  積層構造 ,  RAM【メモリ】 ,  化学蒸着 ,  γ線照射
準シソーラス用語： 原子層堆積 ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗ランダムアクセスメモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 抵抗スイッチング ,  高耐久性