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J-GLOBAL ID：201002294307586220   整理番号：10A1086051

SiO₂/LiNbO₃構造SAWデバイスにおけるSiO₂膜物性と周波数温度係数の相関性の検討

著者 (6件)： 松田聡 (太陽誘電) ,  三浦道雄 (太陽誘電) ,  松田隆志 (太陽誘電) ,  上田政則 (太陽誘電) ,  佐藤良夫 (太陽誘電) ,  橋本研也 (千葉大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 213(US2010 48-69)  ページ： 29-32  発行年： 2010年09月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiO₂/LiNbO₃構造を用いた広帯域温度補償のSAWデバイスにおいて,FT-IR(Fourier-transform Infrared Spectroscopy)を用いたSiO₂膜物性の評価結果から,SiO₂膜物性(ピーク波数,半値幅)と周波数温度係数(TCF)に相関性があることがわかった。その結果,デバイスにおけるTCF改善指標を見出すことができ,SiO₂膜厚0.3λでTCF=0を実現することができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *弾性表面波素子 ,  広帯域 ,  温度補償 ,  FTIR分光法 ,  二酸化ケイ素 ,  温度係数 ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： SAWデバイス

分類 (2件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (12件)：

• MIURA, M. Temperature Compensated LiTaO_3/Sapphire Bonded SAW Substrate with Low Loss and High Coupling Factor Suitable for US-PCS Application. Proc. IEEE Ultrason. Symp., 2004. 2004, 1322
• PARKER, T. E. SiO_2 film overlays for temperature-stable surface acoustic wave devices. Appl. Phys. Lett. 1975, 26, 75
• SHIBAYAMA, K. SAW and Boundary Wave Properties for SiO_2/LiTaO_3 Structure Fabricated by Plasma-CVD. Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1980. 1980, 455
• OGI, H. Elastic constant and Brillouin oscillations in sputtered vitreous SiO_2 thin films. Phys. Rev. B. 2008, 78, 134204
• PAI, P. G. Infrared spectroscopic study of SiOx films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition. J. Vac. Sci. Technol. A. 1986, 4, 689

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  SAWデバイス ,  物性 ,  周波数温度係数 ,  相関性