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J-GLOBAL ID：201002294412117405   整理番号：10A0625271

Siベース基板上のサブマイクロメートル範囲厚の同形相境界Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃膜の特性

Properties of morphotropic phase boundary Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃ films with submicrometre range thickness on Si-based substrates

著者 (6件)： ALGUERO M (CSIC, Madrid, ESP) ,  STEWART M (National Physical Lab., Teddington, GBR) ,  CAIN M G (National Physical Lab., Teddington, GBR) ,  RAMOS P (Universidad de Alcala, Alcala de Henares, ESP) ,  RICOTE J (CSIC, Madrid, ESP) ,  CALZADA M L (CSIC, Madrid, ESP)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 20  ページ： 205401,1-7  発行年： 2010年05月26日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブミクロン厚みの柱状同形相境界Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃(MPB PM-NPT)薄膜の特性研究を示し,最近セラミックスでナノスケールまで報告された粒子サイズ効果と,膜/基板界面の役割を考慮して,このタイプの膜が示す明確な特徴の原因となる機構を明らかにするために議論した。膜は,大きな飽和分極と不十分な保持を特徴とするリラクサと強誘電ヒステリシスループの典型である,微細粒状セラミックスに非常に似た電気特性を示した。一方,膜はまた圧電性と焦電性も同時に示した。

シソーラス用語： ケイ素 ,  基板 ,  膜厚 ,  相境界 ,  鉛化合物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *ニオブ化合物 ,  *金属酸化物 ,  *チタン酸鉛 ,  *誘電体薄膜 ,  柱状晶 ,  セラミック ,  粒度依存性 ,  界面 ,  誘電分極 ,  リラクサ ,  強誘電性 ,  微粒子 ,  *電気特性 ,  圧電気 ,  焦電気
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  飽和分極

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ベース基板 ,  サブ ,  厚 ,  相境界 ,  Pb ,  O3