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J-GLOBAL ID：201002294596640431   整理番号：10A0700461

オゾン水酸化処理を用いるInAlAs/InGaAs MOS-MHEMT

InAlAs/InGaAs MOS-MHEMTs by Using Ozone Water Oxidation Treatment

著者 (9件)： HSU Wei-Chou (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LEE Ching-Sung (Feng-Chia Univ., Taichung, TWN) ,  HO Chiu-Sheng (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LAI Ying-Nan (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HUANG Jun-Chin (United Microelectronics Corp., Tainan, TWN) ,  CHOU Bo-Yi (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  KAO An-Yung (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  YEH Hsuan-Hsien (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WU Chuan-Luan (Transcom Inc., Tainan, TWN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 7  ページ： H234-H236  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オゾン水酸化処理を用いることにより,InAlAs/InGaAs MOS-MHEMTをつくることができた。キンク効果とゲート漏れを効果的に抑えるためにSchottkyゲート構造に界面密度が低く平坦性の優れた良好な絶縁性ナノメータスケール酸化物層をつくった。異なる処理時間での酸化物の表面平坦性特性を原子間力顕微鏡を用いて調べた。優れたデバイス線形性,ゲートアイソレーション,及び出力性能が得られた。

シソーラス用語： オゾン ,  水溶液 ,  *オゾン分解 ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *化合物半導体 ,  *HEMT ,  キンク ,  漏れ電流 ,  Schottky障壁 ,  ゲート【半導体】 ,  密度 ,  平坦性 ,  絶縁材料 ,  絶縁膜 ,  酸化物 ,  原子間力顕微鏡 ,  線形性 ,  出力 ,  走査電子顕微鏡 ,  二次イオン質量分析 ,  電流電圧特性 ,  絶縁体
準シソーラス用語： SIMS分析 ,  *オゾン酸化 ,  オゾン水 ,  ゲート漏れ電流 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム ,  ひ化インジウムガリウム ,  *高電子移動度トランジスタ ,  *酸化物半導体

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： オゾン ,  水酸化 ,  InAlAs ,  InGaAs ,  MOS ,  MHEMT