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J-GLOBAL ID：201002294663268658   整理番号：10A0089214

Bi_3.15Dy_0.85Ti₃O₁₂強誘電性薄膜の有効圧電係数d₃₃の向上

Enhancement on effective piezoelectric coefficient d ₃₃ of Bi_3.15Dy_0.85Ti₃O₁₂ ferroelectric thin films

著者 (7件)： ZHENG X.j. (Fac. of Materials and Optoelectronic Physics, Xiangtan Univ., Xiangtan, Hunan 411105, CHN) ,  ZHENG X.j. (Key Lab. of Low Dimensional Materials and Application Technol. (Xiangtan University), Ministry of Education ...) ,  RONG Y.f. (Fac. of Materials and Optoelectronic Physics, Xiangtan Univ., Xiangtan, Hunan 411105, CHN) ,  ZHANG D.z. (Fac. of Materials and Optoelectronic Physics, Xiangtan Univ., Xiangtan, Hunan 411105, CHN) ,  ZHANG T. (Dep. of Electronic Engineering, Jilin Univ., Changchun, Jilin 130012, CHN) ,  HE L. (Fac. of Materials and Optoelectronic Physics, Xiangtan Univ., Xiangtan, Hunan 411105, CHN) ,  FENG X. (School of Aerospace, Tsinghua Univ., Beijing, 100084, CHN)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 64  号： 5  ページ： 618-621  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属分解法で作製したB_3.15Dy_0.85Ti₃O₁₂(BDT)薄膜の微構造,強誘電特性及び圧電特性への熱処理温度(600~800°C)による影響を調べた。700°Cで熱処理したBDT薄膜の残留分極2P_rと自発分極2P_s(690kV/cmで16.2μC/cm²と23.3μC/cm²),有効圧電係数d₃₃(バイポーラ駆動電界310kV/cmで63pm/V)は他のものより優れていた。適度な熱処理温度で得られたより大きな2P_sと比誘電率ε_rは圧電特性の向上に重要である。向上したd₃₃はBDTを圧電薄膜デバイスの有望な候補とする。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *チタン酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  *ジスプロシウム化合物 ,  強誘電体 ,  溶液成長 ,  *係数 ,  熱処理 ,  温度依存性 ,  加工温度 ,  残留分極 ,  自発分極 ,  誘電率 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  白金 ,  チタン ,  多層膜 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  MOD法 ,  ケイ素基板 ,  *チタン酸ビスマスジスプロシウム ,  *圧電係数

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： BI3 ,  強誘電性薄膜 ,  圧電係数