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J-GLOBAL ID：201002294704556272   整理番号：10A0702862

蛇行アームインダクタンスを持つRF MEMS容量性シャントスイッチをベースとする可同調帯域阻止フィルタ

Tunable band-stop filter based on single RF MEMS capacitive shunt switch with meander arm inductance

著者 (4件)： FERNANDEZ-BOLANOS Montserrat (Nanoelectronic Device Lab. (NanoLab), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, CHE) ,  DEHOLLAIN Catherine (Res. Group GR-SCI, STI, Inst. IEL, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, CHE) ,  NICOLE Pierre (THALES Airborne Systems, Div. Aeronautique, Centre Charles Nungesser, Elancourt, FRA) ,  IONESCU Adrian M. (Nanoelectronic Device Lab. (NanoLab), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, CHE)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 9  ページ： 1033-1040  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では蛇行アーム定着インダクタを使用し,全体寸法300×600μmを持つ単一MEMS容量性シャントデバイスをベースとする新しい高周波可同調帯域阻止フィルタを提案した。それぞれ13.7~30GHzと16.7GHz~37GHZのKuとKaバンドで動作するよう設計されたフィルタに対し,55%オーダの中心周波数の同調範囲を実験実証した。17GHzにおける0.44dBという低い伝送損とマイナス0.5dBの除去レベルを報告した。MEMS容量スイッチ(ジッピング効果による容量比>1.5を持つ)の同時同調と蛇行アームインダクタンスと基板間の電圧制御容量結合の利用により,際立った同調範囲が達成された。サセプタンス(アドミッタンスの虚数部分)デバイス測定をベースに,RF可同調フィルタをキャラクタライズするための性能指数が得られる簡略モデルの容易抽出パラメータ法を提案した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *帯域阻止フィルタ ,  *インダクタ ,  性能指数 ,  マイクロスイッチ ,  スイッチ ,  範囲 ,  抽出
準シソーラス用語： *MEMSスイッチ ,  シャントスイッチ ,  パラメータ抽出 ,  同調範囲

分類 (2件)： フィルタ一般  (NC04021I) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 蛇行 ,  インダクタンス ,  RF ,  MEMS ,  容量性 ,  シャント ,  同調 ,  帯域阻止フィルタ