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J-GLOBAL ID：201002294788885900   整理番号：10A0149559

van der Waals層状狭バンドギャップ黒りんにおける精密な交換補正の影響

The influence of exact exchange corrections in van der Waals layered narrow bandgap black phosphorus

著者 (2件)： PRYTZ O (Univ. Oslo, Oslo, NOR) ,  FLAGE-LARSEN E (Univ. Oslo, Oslo, NOR)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 22  号： 1  ページ： 015502,1-8  発行年： 2010年01月13日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共有結合とvan der Waals結合が中心的役割を果たす黒りんの電子構造を調べた。電子エネルギー損失分光法(EELS)および実空間多重散乱(RSMS)計算を組み合わせてFermi準位より上での状態密度を研究した。これらの計算は純粋に局所的形式で自己無撞着ポテンシャルを用い。さらに従来のPZ-LDAおよびPBE-GGA汎関数,そしてFock補正を含むハイブリッド汎関数HSE03およびPBE0を用いて密度汎関数理論計算を行なった。Fock補正を含めることの効果を例証するためにこれらの計算結果を比較した。原子価バンドの計算値と以前のX線光電子分光法研究との比較は従来の汎関数に対しては許容できる一致を与えたが,ハイブリッド汎関数からの結果は,原子価バンド幅をかなり過大評価するので,それより十分ではなかった。

シソーラス用語： 層状化合物 ,  バンドギャップ ,  *van der Waals力 ,  *黒リン ,  *電子エネルギー損失分光法 ,  多重散乱 ,  Fermi準位 ,  ポテンシャル ,  *密度汎関数法 ,  *補正 ,  *バンド構造
準シソーラス用語： 自己無撞着ポテンシャル

分類 (1件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： VAN ,  層状 ,  狭バンド ,  ギャップ ,  黒りん