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J-GLOBAL ID：201002294790948889   整理番号：10A0327809

薄膜シート抵抗測定のためのカソードルミネセンスの層抵抗依存性

Dependence of cathodoluminescence on layer resistance applied for measurement of thin-layer sheet resistance

著者 (5件)： CZERWINSKI A. (Inst. of Electron Technol., Warsaw, POL) ,  PLUSKA M. (Inst. of Electron Technol., Warsaw, POL) ,  RATAJCZAK J. (Inst. of Electron Technol., Warsaw, POL) ,  SZERLING A. (Inst. of Electron Technol., Warsaw, POL) ,  KATCKI J. (Inst. of Electron Technol., Warsaw, POL)
資料名： Journal of Microscopy  (Journal of Microscopy)
巻： 237  号： 3  ページ： 304-307  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： B0454B  ISSN： 0022-2720  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体材料中の局所蛍光スペクトルを決定し,光学活性度をマップするために空間及びスペクトル分解カソードルミネセンス(CL)測定が走査電子顕微鏡(SEM)あるいは走査透過型電子顕微鏡(STEM)を用いて広く行われている。本報では半導体構造のCL強度のシート抵抗(R_S)依存性を調べ,この依存性を利用して薄層及び超薄層のR_Sを測定する方法を提案した。実際にこの方法を用いて,MBE成長AlGaAs/GaAsヘテロ構造(8nm厚さのInGaAs量子井戸を含む)リッジ導波路半導体レーザの横方向閉じ込めにおけるシート抵抗を分析した。

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  半導体材料 ,  *シート抵抗 ,  *陰極線ルミネセンス ,  超薄膜 ,  半導体レーザ ,  MBE成長 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  量子井戸 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  赤外発光スペクトル ,  赤外レーザ
準シソーラス用語： リッジ導波路 ,  抵抗測定

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜シート ,  抵抗測定 ,  カソードルミネセンス ,  層 ,  依存性