文献

J-GLOBAL ID：201002294806966041   整理番号：10A0464759

Siを用いた電気二重層FET

著者 (3件)： 柳瀬隆 (東大 理) ,  島田敏宏 (東大 理) ,  長谷川哲也 (東大 理)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.19P-ZM-7  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *電気二重層 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *過渡応答 ,  *電流 ,  *電圧 ,  *イオン液体 ,  電解質 ,  速度 ,  応答速度
準シソーラス用語： シリコン ,  ドレイン電流

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  電気二重層 ,  FET