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J-GLOBAL ID：201002294837976754   整理番号：10A1000361

防衛アプリケーション用の高効率InN系量子ドット太陽電池

High-Efficiency InN-Based Quantum Dot Solar Cells for Defense Applications

著者 (7件)： WELSER Roger E. (Magnolia Optical Technol. Inc., MA) ,  SOOD Ashok K. (Magnolia Optical Technol. Inc., MA) ,  PURI Yash R. (Magnolia Optical Technol. Inc., MA) ,  LABOUTIN Oleg A. (Kopin Corp., MA) ,  GUIDO Louis J. (Virginia Tech, VA) ,  DHAR Nibir K. (DARPA/MTO, VA) ,  WIJEWARNASURIYA Priyalal S. (Army Res. Lab., MD)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7683  ページ： 76830R.1-76830R.7  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化物半導体はエネルギーギャップの範囲が広く,優れた放射線耐性があり,高温にも耐えるなど多くのユニークな材料特性を有する。InNは0.7eVと非常に低いエネルギーギャップが可能であり,InNとGaN材料を組合わせて使った太陽電池は,赤外線から紫外線までの広い吸収エネルギー領域を持つ。本稿では,Si基板上に自己秩序化したInN量子ドットを広バンドギャップGaNバリア中に埋込むことにより製作した太陽電池について報告した。条件の適正化によりInNドットは優れた構造的性質と光学的性質を示した。高いInソースフラックスを使って,実用上意味のあるInNドットの高い密度を得た。

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *太陽電池 ,  バンド構造 ,  *量子ドット ,  化合物半導体 ,  エネルギー変換効率 ,  耐放射線性 ,  エネルギーギャップ ,  エネルギー吸収 ,  自己集合 ,  埋込み【挿入】
準シソーラス用語： InGaN ,  吸収エネルギー ,  自己秩序化 ,  放射線耐性 ,  *量子ドット太陽電池

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 防衛 ,  アプリケーション ,  高効率 ,  InN ,  量子ドット太陽電池