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J-GLOBAL ID：201002294887159340   整理番号：10A0019995

低地球高度における原子状酸素摸擬環境における水素添加ダイアモンド状炭素膜保護のためのSiドーピング

Si-doping for the Protection of Hydrogenated Diamond-like Carbon Films in a Simulated Atomic Oxygen Environment in Low Earth Orbit

著者 (8件)： YOKOTA Kumiko (Graduate School of Engineering, Kobe Univ.) ,  TAGAWA Masahito (Graduate School of Engineering, Kobe Univ.) ,  KITAMURA Akira (Graduate School of Maritime Sciences, Kobe Univ.) ,  MATSUMOTO Koji (Aerospace Res. and Dev. Directorate, Japan Aerospace Exploration Agency) ,  YOSHIGOE Akitaka (Synchrotron Radiation Res. Center, Japan Atomic Energy Agency) ,  TERAOKA Yuden (Synchrotron Radiation Res. Center, Japan Atomic Energy Agency) ,  FONTAINE Julien (Lab. of Tribology and Systems, Ecole Centrale de Lyon) ,  BELIN Michel (Lab. of Tribology and Systems, Ecole Centrale de Lyon)
資料名： Transactions of the Japan Society for Aeronautical and Space Sciences, Space Technology Japan (Web)  (Transactions of the Japan Society for Aeronautical and Space Sciences, Space Technology Japan (Web))
巻： 7  号： ists26  ページ： PC.37-PC.42 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： U0121A  ISSN： 1347-3840  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiドーピングDLCの表面性質に対する高熱原子状酸素(AO)曝露の影響を検討した。Si原子を,ほぼ10at%および20at%含む2種のDLCを試験した。シンクロトロン放射を使用した高分解能X線光電子分光分析(synchrotron radiation photoemission spectroscopy; SR-PES)およびRutherford散乱分光法(RBS)の表面解析結果をAO曝露SiドーピングDLCの特性化に使用した。SiドーピングDLC表面上に,SiO₂層が,高熱AO曝露によって形成されることが,SR-PESによって同定された。RBSデータは,AO曝露は,非ドーピングDLCで大きな厚さ損失になることを示した。これとは反対に,SiドーピングDLCにおける水素添加原子状酸素反応によって形成れたSiO₂層は,SiO₂層下のDLCを保護する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸素 ,  低高度軌道 ,  *DLC膜 ,  *ダイヤモンド状炭素 ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  光電子分光分析 ,  シンクロトロン ,  Rutherford散乱分光法 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *DLC【炭素】 ,  RBS分光法 ,  *原子状酸素

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 地球 ,  高度 ,  原子状酸素 ,  環境 ,  水素添加 ,  ダイアモンド状炭素 ,  Si ,  ドーピング