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J-GLOBAL ID：201002295129600775   整理番号：10A1486090

BP(001)/Si(001)ヘテロ構造上での立方晶系GaNの高周波MBE成長

Radio-frequency MBE growth of cubic GaN on BP(001)/Si(001) hetero-structure

著者 (5件)： KIKUCHI T ,  SOMINTAC As ,  ODAWARA M ,  UDAGAWA T ,  OHACHI T
資料名： PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6
巻： 3  号： 6  ページ： 1383-1387  発行年： 2006年 
JST資料番号： O5361A  ISSN： 1610-1634  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： BP ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  立方晶系 ,  GaN ,  高周波 ,  MBE成長