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J-GLOBAL ID：201002295485297351   整理番号：10A0776358

金属-酸化物-グラフェン構造に関するトンネル分光

Tunneling spectroscopy of metal-oxide-graphene structure
著者 (10件)：
ZENG Caifu

ZENG Caifu について

(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA)

Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA について

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WANG Minsheng

WANG Minsheng について

(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA)

Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA について

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ZHOU Yi

ZHOU Yi について

(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA)

Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA について

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LANG Murong

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(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA)

Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA について

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LIAN Bob

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(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA)

Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA について

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SONG Emil

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(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA)

Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA について

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XU Guangyu

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(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA)

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TANG Jianshi

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TORRES Carlos

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WANG Kang L.

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資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 97  号： 3  ページ： 032104  発行年： 2010年07月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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素子レベルのグラフェンのユニークな状態密度を巨視的な金属-酸化物-グラフェン構造に関するトンネル分光法によって研究した。単接合配置および二重接合配置のdI/dVスペクトルには,グラフェンのDirac点にトンネルする電子に関係する局所的な伝導度の最小値が観測された。磁場の存在の下では,特徴的なn=0準位を含む等間隔でないLandau準位が観測された。これらの実験から,Dirac点近傍におけるエネルギー-運動量の直線的な分散関係とFermi速度を導出した。局所的なポテンシャル揺動と界面欠陥がこれらの微細な物理的特徴に大きな影響を及ぼし,非常に鋭い走査型トンネル顕微鏡チップから得られる結果に比べてピークの拡がりと異常性をもたらすことが分かった。この研究は将来におけるトンネリングを基本とするグラフェン素子に関する重要な意味を持つ。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
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*MOS構造

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トンネル分光法

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電流電圧特性

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バンド構造

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磁場効果

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Landau準位

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エネルギー

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運動量

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分散関係

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表面欠陥

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界面

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走査型トンネル顕微鏡

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酸化アルミニウム

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キャリア移動度

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金属

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酸化物

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誘電体薄膜

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ポテンシャルゆらぎ

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分類 (1件)：
分類
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金属-絶縁体-半導体構造 
(BM03085X)

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