文献

J-GLOBAL ID：201002296128711669   整理番号：10A0602771

高k誘電体超薄膜を用いるトップゲート型グラフェンナノリボントランジスタ

Top-Gated Graphene Nanoribbon Transistors with Ultrathin High-k Dielectrics

著者 (7件)： LIAO Lei (Univ. California, California) ,  BAI Jingwei (Univ. California, California) ,  CHENG Rui (Univ. California, California) ,  LIN Yung-Chen (Univ. California, California) ,  JIANG Shan (Univ. California, California) ,  HUANG Yu (Univ. California, California) ,  DUAN Xiangfeng (Univ. California, California)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 5  ページ： 1917-1921  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高濃度ドープされた珪素ナノワイヤ表面に高誘電率の酸化ハフニウムの超薄膜(1~2nm)を原子層体積により形成しコア-シェル構造(A)とした。Aをトップゲートとして用いSi/SiO₂/グラフェンナノリボン/HfO₂/Si-Al積層構造のFETを作製した。電流電圧特性を調べた。相互コンダクタンスは3.2mS/μmであり,高k誘電体を用いたケイ素MOSFETを上回る性能を得た。

シソーラス用語： *グラファイト ,  ナノ構造 ,  素子構造 ,  超薄膜 ,  誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  *ケイ素 ,  *酸化ハフニウム ,  *ナノワイヤ ,  キャリア移動度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *グラフェン ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： トップゲート型 ,  ナノリボン

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高k誘電体 ,  超薄膜 ,  トップゲート型 ,  グラフェンナノリボン ,  トランジスタ