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J-GLOBAL ID：201002296131400712   整理番号：10A0093717

3C-SiCナノ粒子のルミネセンスに対する界面の化学的環境の影響

Influence of the interfacial chemical environment on the luminescence of 3C[Single Bond]SiC nanoparticles

著者 (8件)： ZAKHARKO Yu. (Lyon Inst. of Nanotechnologies (INL), CNRS UMR-5270, INSA de Lyon, 7 av. Jean Capelle, Bat. Blaise Pascal ...) ,  BOTSOA J. (Lyon Inst. of Nanotechnologies (INL), CNRS UMR-5270, INSA de Lyon, 7 av. Jean Capelle, Bat. Blaise Pascal ...) ,  ALEKSEEV S. (Chemistry Fac., Kiev National Taras Shevchenko Univ., 64 Volodymyrska Str., 01033 Kiev, UKR) ,  LYSENKO V. (Lyon Inst. of Nanotechnologies (INL), CNRS UMR-5270, INSA de Lyon, 7 av. Jean Capelle, Bat. Blaise Pascal ...) ,  BLUET J.-m. (Lyon Inst. of Nanotechnologies (INL), CNRS UMR-5270, INSA de Lyon, 7 av. Jean Capelle, Bat. Blaise Pascal ...) ,  MARTY O. (Lyon Inst. of Nanotechnologies (INL), CNRS UMR-5270, Univ. of Lyon I, 43, bd. 11, Novembre 1918, Villeurbanne ...) ,  SKRYSHEVSKY V. A. (Radiophysics Fac., Kiev National Taras Shevchenko Univ., 64 Volodymyrska Str., 01033 Kiev, UKR) ,  GUILLOT G. (Lyon Inst. of Nanotechnologies (INL), CNRS UMR-5270, INSA de Lyon, 7 av. Jean Capelle, Bat. Blaise Pascal ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 1  ページ： 013503  発行年： 2010年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクの3C-SiC基板の電気化学エッチングにより得られた3C-SiCナノ粒子の生成されたばかりの表面化学を調べた。化学的な環境が3C-SiCナノ粒子における光誘起電子遷移に強く影響することを見いだした。表面化学,溶媒の性質および表面電荷のような3C-SiCナノ粒子の異なる化学的環境の,室温におけるナノ粒子の光誘起吸収とルミネセンスに対する影響を述べ,詳細に議論した。例えば,放射バンドギャップ状態の酸化誘起不動態化は,光生成された荷電キャリアが量子的に閉じ込められたナノ粒子におけるエネルギー準位間遷移の可視化を可能にする。高い極性の溶媒媒質による放射バンドギャップの静電的遮蔽はナノ粒子の光ルミネセンススペクトルの短波長シフトと半値幅の減少を生ずる。表面電荷に関しては,それらがバンドの湾曲の勾配を支配し,従ってバンドギャップ内のエネルギー状態を経由する放射遷移に強い影響を与える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  ナノ粒子 ,  *光ルミネセンス ,  環境 ,  バンドギャップ ,  *界面化学 ,  電解エッチング ,  電子遷移 ,  光吸収 ,  光照射 ,  不動態化 ,  酸化

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3C-SiC ,  ナノ粒子 ,  ルミネセンス ,  界面