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J-GLOBAL ID：201002296184380810   整理番号：10A0237857

GaAs半導体可飽和吸収体Qスイッチレーザの最適化

Optimization of GaAs semiconductor saturable absorber Q-switched lasers

著者 (4件)： LI Dechun (School of Information Sci. and Engineering, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  ZHAO Shengzhi (School of Information Sci. and Engineering, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  LI Guiqiu (School of Information Sci. and Engineering, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN) ,  YANG Kejian (School of Information Sci. and Engineering, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 121  号： 5  ページ： 478-485  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs半導体可飽和吸収体Qスイッチレーザの動作を説明する結合レート方程式を解くことにより,出力エネルギー,ピークパワーおよびパルス幅などのパルス特性の式を得る。最適結合GaAs可飽和吸収体Qスイッチレーザの重要なパラメータを決定し,それらの式から初めて個別の設計曲線を生成する。それらの重要なパラメータは,最大出力エネルギーまたは最大ピークパワー,対応する正規化エネルギー,正規化ピークパワーおよび正規化パルス幅などを含む。式と設計曲線を用いて,パルス特性を予測でき,最適結合GaAs可飽和吸収体Qスイッチレーザの設計を行なうことができる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： Qスイッチング ,  可飽和吸収体 ,  *半導体レーザ ,  最適化 ,  レート方程式 ,  Lagrange乗数法 ,  ヒ化ガリウム

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  可飽和吸収体 ,  Qスイッチレーザ ,  最適化