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J-GLOBAL ID：201002296268726410   整理番号：10A0213871

パラジウム/シリコンナノワイヤSchottky障壁を基礎とした水素センサ

Palladium/silicon nanowire Schottky barrier-based hydrogen sensors

著者 (5件)： SKUCHA Karl (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California at Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA) ,  FAN Zhiyong (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California at Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA) ,  JEON Kanghoon (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California at Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA) ,  JAVEY Ali (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California at Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA) ,  BOSER Bernhard (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sciences, Univ. of California at Berkeley, Berkeley, CA 94720, USA)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 145  号： 1  ページ： 232-238  発行年： 2010年03月04日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究ではパラジウム/ナノワイヤSchottky障壁電界効果トランジスタを基礎とした,室温で機能する水素センサの設計,製作,評価について紹介した。製作したセンサはSiO₂/Si基板上にプリントされたホウ素ドープシリコンナノワイヤアレイ,次いでパラジウムが蒸着された構造を有する。本製作プロセスはポスト-CMOS,プラスチック基板集積と両立できる。150°Cより下の温度で収率良く,再現性良く完結できるからである。センサは信頼性良く,可逆的に,3ppmから5%の濃度範囲でH₂を検出でき,1000ppmで6.9%/ppmの感度であった。ドリフトやノイズから区別のできる応答は1000ppmを超えるH₂濃度では5秒未満で始まり,100ppmを超える濃度では30秒未満で始まった。センサ検出値は低濃度では最終値の90%の値に約1時間で到達し,10000ppmのH₂濃度では1分未満で到達した。87時間を超える計測ではドリフトは5ppmH₂濃度未満であった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  ケイ素合金 ,  パラジウム合金 ,  水素 ,  *ガスセンサ ,  蒸着膜 ,  *プリント基板 ,  プラスチックフィルム ,  信頼性 ,  *検出限界 ,  ナノワイヤ ,  ケイ素 ,  *FET【トランジスタ】

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： パラジウム ,  シリコンナノワイヤ ,  Schottky障壁 ,  基礎 ,  水素センサ